IDH04G65C5XKSA2 Infineon Technologies Diodos individuales

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC??
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tecnología: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltaje - CC inversa (Vr) (Máx.): 650 V
Corriente - Promedio Rectificado (Io): 4A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si: 1.7 V @ 4 A
Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr): 0 ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr: 70 µA @ 650 V
Capacitancia @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-220-2
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO220-2-1
Temperatura de funcionamiento - Unión: -55°C ~ 175°C
Número de producto base: IDH04G65