TRS12N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Diodos - Rectificadores - Matrices

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode
Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky
Voltaje - CC inversa (Vr) (Máx.): 650 V
Corriente - Promedio rectificada (Io) (por diodo): 6A (DC)
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si: 1.6 V @ 6 A
Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr): 0 ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr: 30 µA @ 650 V
Temperatura de funcionamiento - Unión: 175°C
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247
Número de producto base: TRS12N65