GD2X100MPS12N GeneSiC Semiconductor Matrices de diodos

Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Serie: MSP
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Configuración de diodos: 2 Independent
Tecnología: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltaje - CC inversa (Vr) (Máx.): 1200 V
Corriente - Promedio rectificada (Io) (por diodo): 136A (DC)
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si: 1.8 V @ 100 A
Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr): 0 ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Temperatura de funcionamiento - Unión: -55°C ~ 175°C
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-227
Número de producto base: GD2X