NTE456 NTE Electronics, Inc Transistores - JFET

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Voltaje - Ruptura (V(BR)GSS): 30 V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje (Idss) a Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
Consumo de corriente (Id) - Máx.: 15 mA
Voltaje - Corte (VGS desactivado) @ Id: 6 V @ 100 pA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 6pF @ 15V
Resistencia - RDS(On): 400 Ohms
Potencia - Máxima: 300 mW
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-72