NTE469 NTE Electronics, Inc Transistores - JFET

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Voltaje - Ruptura (V(BR)GSS): 35 V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 35 V
Corriente - Drenaje (Idss) a Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 5pF @ 10V
Resistencia - RDS(On): 100 Ohms
Potencia - Máxima: 625 mW
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-92