NTE467 NTE Electronics, Inc Transistores - JFET

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Voltaje - Ruptura (V(BR)GSS): 30 V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje (Idss) a Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 10pF @ 12V
Resistencia - RDS(On): 30 Ohms
Potencia - Máxima: 310 mW
Temperatura de funcionamiento: -65°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-92