APT25GP120BG Microchip Technology Transistores - IGBT - Sencillos

Fabricante: Microchip Technology
Serie: POWER MOS 7®
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: PT
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 1200 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 69 A
Corriente - Colector Pulsado (Icm): 90 A
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
Potencia - Máxima: 417 W
Cambio de energía: 500µJ (on), 438µJ (off)
Tipo de entrada: Standard
Cargo por entrada: 110 nC
Td (encendido/apagado) a 25 °C: 12ns/70ns
Condición de prueba: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247 [B]
Número de producto base: APT25GP120