APT65GP60L2DQ2G Microchip Technology Transistores - IGBT - Sencillos

Fabricante: Microchip Technology
Serie: POWER MOS 7®
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: PT
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 600 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 198 A
Corriente - Colector Pulsado (Icm): 250 A
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
Potencia - Máxima: 833 W
Cambio de energía: 605µJ (on), 895µJ (off)
Tipo de entrada: Standard
Cargo por entrada: 210 nC
Td (encendido/apagado) a 25 °C: 30ns/90ns
Condición de prueba: 400V, 65A, 5Ohm, 15V
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-264-3, TO-264AA
Número de producto base: APT65GP60