HGT1S10N120BNST onsemi Transistores - IGBT - Sencillos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: NPT
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 1200 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 35 A
Corriente - Colector Pulsado (Icm): 80 A
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Potencia - Máxima: 298 W
Cambio de energía: 320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo de entrada: Standard
Cargo por entrada: 100 nC
Td (encendido/apagado) a 25 °C: 23ns/165ns
Condición de prueba: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor: D²PAK (TO-263)
Número de producto base: HGT1S10