APT50GP60B2DQ2G Microchip Technology Transistores - IGBT - Sencillos

Fabricante: Microchip Technology
Serie: POWER MOS 7®
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: PT
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 600 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 150 A
Corriente - Colector Pulsado (Icm): 190 A
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Potencia - Máxima: 625 W
Cambio de energía: 465µJ (on), 635µJ (off)
Tipo de entrada: Standard
Cargo por entrada: 165 nC
Td (encendido/apagado) a 25 °C: 19ns/85ns
Condición de prueba: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-247-3 Variant
Número de producto base: APT50GP60