HGTG10N120BND onsemi Transistores - IGBT - Sencillos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Last Time Buy
Tipo IGBT: NPT
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 1200 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 35 A
Corriente - Colector Pulsado (Icm): 80 A
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Potencia - Máxima: 298 W
Cambio de energía: 850µJ (on), 800µJ (off)
Tipo de entrada: Standard
Cargo por entrada: 100 nC
Td (encendido/apagado) a 25 °C: 23ns/165ns
Condición de prueba: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr): 70 ns
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247-3
Número de producto base: HGTG10N120