NXH80T120L3Q0S3G onsemi Transistores - IGBT - Módulos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tray
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: Trench Field Stop
Configuración: Half Bridge
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 1200 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 75 A
Potencia - Máxima: 188 W
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
Corriente de corte del colector (máx.): 300 µA
Capacitancia de entrada (Cies) a Vce: 18.15 nF @ 20 V
Aporte: Standard
Termistor NTC: Yes
Temperatura de funcionamiento: -40°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: Module
Paquete de dispositivo del proveedor: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)