FF200R17KE3HOSA1 Infineon Technologies Transistores - IGBT - Módulos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: C
Paquete: Tray
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: Trench Field Stop
Configuración: Half Bridge
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 1700 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 310 A
Potencia - Máxima: 1250 W
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
Corriente de corte del colector (máx.): 3 mA
Capacitancia de entrada (Cies) a Vce: 18 nF @ 25 V
Aporte: Standard
Termistor NTC: No
Temperatura de funcionamiento: -40°C~125°C(TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: Module
Paquete de dispositivo del proveedor: Module
Número de producto base: FF200R17