NXH50C120L2C2ESG onsemi Transistores - IGBT - Módulos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: -
Configuración: Three Phase Inverter with Brake
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 1200 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 50 A
Potencia - Máxima: 20 mW
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
Corriente de corte del colector (máx.): 250 µA
Capacitancia de entrada (Cies) a Vce: 11.897 nF @ 20 V
Aporte: Three Phase Bridge Rectifier
Termistor NTC: Yes
Temperatura de funcionamiento: -40°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: 26-PowerDIP Module (1.199\ 47.20mm)
Paquete de dispositivo del proveedor: 26-DIP
Número de producto base: NXH50