VS-40MT120PHAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBT - Módulos

Fabricante: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: Trench Field Stop
Configuración: Half Bridge
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 1200 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 75 A
Potencia - Máxima: 305 W
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 40A
Corriente de corte del colector (máx.): 50 µA
Capacitancia de entrada (Cies) a Vce: 3.2 nF @ 25 V
Aporte: Standard
Termistor NTC: No
Temperatura de funcionamiento: -40°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: 12-MTP Module
Paquete de dispositivo del proveedor: 12-MTP