NXH350N100H4Q2F2P1G onsemi Transistores - IGBT - Módulos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tray
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: Trench Field Stop
Configuración: Three Level Inverter
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 1000 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 303 A
Potencia - Máxima: 276 W
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
Corriente de corte del colector (máx.): 1 mA
Capacitancia de entrada (Cies) a Vce: 24.146 nF @ 20 V
Aporte: Standard
Termistor NTC: Yes
Temperatura de funcionamiento: -40°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: Module
Paquete de dispositivo del proveedor: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
Número de producto base: NXH350