NXH450B100H4Q2F2SG onsemi Transistores - IGBT - Módulos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tray
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: -
Configuración: 2 Independent
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 1000 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 101 A
Potencia - Máxima: 234 W
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
Corriente de corte del colector (máx.): 600 µA
Capacitancia de entrada (Cies) a Vce: 9.342 nF @ 20 V
Aporte: Standard
Termistor NTC: Yes
Temperatura de funcionamiento: -40°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: Module
Paquete de dispositivo del proveedor: 56-PIM (93x47)