NXH100B120H3Q0STG onsemi Transistores - IGBT - Módulos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tray
Estado del producto: Active
Tipo IGBT: Trench Field Stop
Configuración: 2 Independent
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 1200 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 50 A
Potencia - Máxima: 186 W
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Corriente de corte del colector (máx.): 200 µA
Capacitancia de entrada (Cies) a Vce: 9.075 nF @ 20 V
Aporte: Standard
Termistor NTC: No
Temperatura de funcionamiento: -40°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: Module
Paquete de dispositivo del proveedor: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Número de producto base: NXH100