SCT3160KLHRC11 Rohm Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Paquete: Tube
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 17A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 18V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 42 nC @ 18 V
Vgs (máx.): +22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 398 pF @ 800 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 103W
Temperatura de funcionamiento: 175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247N
Paquete/Caja: TO-247-3
Número de producto base: SCT3160