SI1013R-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 350mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±6V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SC-75A
Paquete/Caja: SC-75, SOT-416
Número de producto base: SI1013