NTBG020N090SC1 onsemi Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 900 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 15V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.3V @ 20mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 200 nC @ 15 V
Vgs (máx.): +19V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 4415 pF @ 450 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: D2PAK-7
Paquete/Caja: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base: NTBG020