LSIC1MO170E0750 Littelfuse Inc. Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Littelfuse Inc.
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1700 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6.2A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 20V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 13 nC @ 20 V
Vgs (máx.): +22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 200 pF @ 1000 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247AD
Paquete/Caja: TO-247-3