SQW61N65EF-GE3 Vishay Siliconix Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: Automotive, AEC-Q101, E
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 62A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 344 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 7379 pF @ 100 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 625W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247AD
Paquete/Caja: TO-247-3
Número de producto base: SQW61