FQA55N25 onsemi Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: onsemi
Serie: QFET®
Paquete: Tube
Estado del producto: Last Time Buy
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 55A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 180 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 6250 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 310W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-3PN
Paquete/Caja: TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base: FQA55