IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon Technologies Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS??5
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 47A (Tj)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 7V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.4V @ 13µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TDSON-8-33
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN