BSC200P03LSG Infineon Technologies Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS®
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 100µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2430 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TDSON-8-6
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN