Fabricante: Fairchild Semiconductor
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 10.5A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.7V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2150 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOIC
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
