PSMN5R6-100YSFX Nexperia USA Inc. Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 120A (Tj)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 63 nC @ 10 V
Vgs (máx.): -
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 294W
Temperatura de funcionamiento: 175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: LFPAK56; Power-SO8
Paquete/Caja: SOT-1023, 4-LFPAK
Número de producto base: PSMN5R6