Fabricante: Central Semiconductor Corp
Serie: -
Paquete: Box
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 100mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.5V, 4V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 0.66 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 45 pF @ 3 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 100mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -65°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-883
Paquete/Caja: SC-101, SOT-883
Número de producto base: CEDM8001
