PMV19XNEAR Nexperia USA Inc. Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Nexperia USA Inc.
Serie: Automotive, AEC-Q100
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 900mV @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1150 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-236AB
Paquete/Caja: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base: PMV19