EPC8002 EPC Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: EPC
Serie: eGaN®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 65 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Vgs (máx.): +6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 21 pF @ 32.5 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): -
Temperatura de funcionamiento: -40°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: Die
Paquete/Caja: Die