DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 300mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.2V @ 250µA
Vgs (máx.): ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 39 pF @ 3 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 350mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: X2-DFN1006-3
Paquete/Caja: 3-XFDFN
Número de producto base: DMN32