PMPB27EP,115 Nexperia USA Inc. Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6.1A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 45 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1570 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: DFN2020MD-6
Paquete/Caja: 6-UDFN Exposed Pad
Número de producto base: PMPB27