PSMN0R9-30YLDX Nexperia USA Inc. Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 300A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.2V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 109 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 7668 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 291W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: LFPAK56; Power-SO8
Paquete/Caja: SOT-1023, 4-LFPAK
Número de producto base: PSMN0R9