RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.5V @ 11mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 4290 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-HSMT (3.2x3)
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN
Número de producto base: RQ3E180