UF3C120080B7S UnitedSiC Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: UnitedSiC
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 28.8A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 6V @ 10mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 23 nC @ 12 V
Vgs (máx.): ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 754 pF @ 100 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: D2PAK-7
Paquete/Caja: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base: UF3C120080