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MMBF170-7-F Diodes Incorporated Transistores - FET MOSFET - Sencillos

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 500mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 250µA
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 40 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 300mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-23-3
Paquete/Caja: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base: MMBF170

Datasheet

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