RHU002N06T106 Rohm Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 200mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 15 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: UMT3
Paquete/Caja: SC-70, SOT-323
Número de producto base: RHU002