TK9J90E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 900 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 9A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 900µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 46 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2000 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-3P(N)
Paquete/Caja: TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base: TK9J90