NTMTSC002N10MCTXG onsemi Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 45A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 520µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 89 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 6305 pF @ 50 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 9W (Ta), 255W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Número de producto base: NTMTSC002