Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 9.2A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4V, 5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 12 nC @ 5 V
Vgs (máx.): ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 490 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220AB
Paquete/Caja: TO-220-3
Número de producto base: IRL520
