TW070J120B,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 36A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 20V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5.8V @ 20mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 67 nC @ 20 V
Vgs (máx.): ±25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1680 pF @ 800 V
Característica FET: Standard
Disipación de potencia (máx.): 272W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-3P(N)
Paquete/Caja: TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base: TW070J120