Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 530mA (Tj)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2V, 5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 1mA
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 200 pF @ 20 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-92-3
Paquete/Caja: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base: TN0702
