Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1700 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 7A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 20V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 2.5A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.25V @ 100µA (Typ)
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 11 nC @ 20 V
Vgs (máx.): +23V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 184 pF @ 1360 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247-3
Paquete/Caja: TO-247-3
Número de producto base: MSC750
