SSM10N954L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 13.5A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 25 nC @ 4 V
Vgs (máx.): ±8V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TCSPAC-153001
Paquete/Caja: 10-SMD, No Lead