IRFR430BTM Fairchild Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Fairchild Semiconductor
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 3.5A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 33 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1050 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-252-3 (DPAK)
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63