NTNS3190NZT5G onsemi Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 224mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 15.8 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 120mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Paquete/Caja: 3-XFDFN
Número de producto base: NTNS3190