BSS84AKQBZ Nexperia USA Inc. Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Nexperia USA Inc.
Serie: Automotive, AEC-Q100
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 270mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.): +12V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 23.2 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivo del proveedor: DFN1110D-3
Paquete/Caja: 3-XDFN Exposed Pad