NTD5802NT4G onsemi Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Last Time Buy
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 100 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 5025 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: DPAK
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base: NTD5802