RV4E031RPHZGTCR1 Rohm Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 3.1A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 4.8 nC @ 5 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 460 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivo del proveedor: DFN1616-6W
Paquete/Caja: 6-PowerWFDFN
Número de producto base: RV4E031